изображают на чертежах в виде скрещенных тонких линий.
Участок полупроводника с изменяющейся электропроводностью называют каналом и
(затвору), отделенному от поверхности полупроводника тонким слоем диэлектрика.
истоком под действием напряжения, приложенного к управляющему электроду
изменения электропроводности поверхностного слоя полупроводника между стоком и
Принцип действия МДП-транзистора основан на эффекте
а упрощенная конструкция; б условное обозначение.
Рис.1. МДП - транзистор с индуцированным
называют истоком, стоком, затвором и подложкой (рис. 1, а).
МДП - транзистор имеет четыре электрода, которые
временную нестабильность.
быстродействие, худшую технологическую воспроизводимость параметров и большую
по току, высокое входное сопротивление. К недостаткам следует отнести меньшее
шумов, большая стойкость к радиационным излучениям, устойчивость от перегрузок
транзисторы имеют следующие преимущества перед биполярными: малый уровень
основных носителей заряда. В связи с этим их называют униполярными. Эти
транзисторов, поскольку механизм их работы основан на перемещении только
МДП - транзисторы отличаются от биполярных
W 4.1. Механизм работы и классификация МДП - транзисторов.
Механизм работы и классификация МДП-транзисторов
Комментариев нет:
Отправить комментарий